长江存储7200万美元购置ASML光刻机，国产闪存下半

前几日有消息称中芯国际花费1.2亿美元购买了ASML公司的EUV光刻机，为未来7nm工艺研发打下了基础。随着国内12英寸晶圆厂的大量建成，光刻机等半导体生产装备还会更多。周末有消息报道称长江存储购买的光刻机已经运抵武汉，售价高达7200万美元（约合4.6亿），可用于生产14-20nm工艺晶圆。 [好文分享：www.11jj.com]

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与中芯国际的EUV光刻机不同，长江存储购买的ASML光刻机还是传统的193nm沉浸式光刻机，可生产14-20nm工艺的晶圆。由于闪存跟处理器工艺并不同，所以14-20nm工艺在目前的NAND闪存工艺中依然是很先进的，而且3D闪存更不依赖工艺微缩了，考验的是堆栈层数，几年前三星最早推出的3D NAND闪存还是34nm工艺的，反而是工艺越低，闪存的PE寿命、可靠性更高。

目前运抵武汉的光刻机只是第一步，长江存储未来还会购买更多的光刻机用于NAND闪存。

紫光旗下的长江存储前身是武汉新芯科技，2016年在武汉开工建设国内最大的NAND闪存生产基地，目前建设三期工程，总投资240亿美元，一期工程主要针对NAND闪存，月产能30万片晶圆，二期工程面向DRAM内存，三期工程则是为晶圆代工准备，建成之后总产能可达100万片晶圆/月。

长江存储的主体建筑工程在2017年9月提前竣工，后续开始生产设备安装，今年5月4日首批400万美元的精密仪器进场安装，现在的光刻机安装则是下一步。

国产NAND闪存预计在2018年下半年开始量产，不过长江存储目前研发的闪存才是32层堆栈64Gb核心，相比主流的64层堆栈256Gb-512Gb核心要落后两年以上，此前长江存储已经表态正在研发64层及以上堆栈的3D闪存，整个工程大规模量产要等到2019年初，所以明年真正生产的国产闪存可能会变成64层3D NAND闪存。