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合肥长鑫存储的DRAM项目在经过两年来的努力后,正开始进入试产阶段,这也代表着合肥506项目进入了新的里程碑。
长鑫存储早先规划的19纳米制程工艺技术也将首先应用在DDR4 8Gb的产品上,应用产品瞄准个人计算机以及服务器上,后续的LPDDR4则是预期在明年第三季进入试产阶段。原先担任兆易创新CEO的朱一明先生也将辞去原有的职务,正式接任长鑫存储和睿力集成CEO的职位,至于前CEO王宁国先生则是在建厂告一段落后交棒,显示合肥地方发展存储产业由建厂进度转为研发、量产与..为主轴的新局面。
从时程上来看,长鑫存储过去DRAM事业的进展稳健,506项目从2016年第二季度启动以来,短短两年陆续完成厂房兴建、机台设备移入和上千件专利的申请,再加上先前兆易创新在存储业界的丰富经验,对于长鑫存储后续各项DRAM产品的试产、开发以及结合NOR Flash和NAND Flash更为广泛的应用有更大的帮助。在后续工艺规划上,19纳米的DRAM试产后,17纳米的DRAM技术开发也将紧锣密鼓的展开,寄望能够在未来DRAM工艺制程技术微缩时程拉长之际,能够缩短与国际大厂之间的距离。
中国DRAM存储器产业自主化更是刻不容缓的一条艰巨道路。中国目前在全球个人计算机、智能手机、服务器/数据中心以及未来新时代的AI人工智能以及物联网均扮演关键地位,联想品牌已是全球PC市占率最高的厂商;华为、OPPO、VIVO和小米等手机品牌更是早已盘据全球智能手机排行榜前七位;华为、腾讯、百度、阿里巴巴等更是目前全球服务器与数据中心关键领导厂商,而各式各样广泛的电子产品都需要DRAM存储器才能充分运作,甚至未来进入AI人工智能、挖矿机和自动驾驶车辆对于DRAM的需求将更为倚重。
对比DRAM产业目前高度集中在三星、海力士以及美光三家厂商,其他业者比重不超过5%的特殊产业结构来看,若不能解决这样的情况,未来中国持续发展电子产业上势必遇到关键零组件仰人鼻息的瓶颈。同时,中国发展DRAM存储器产业不仅只是存储业者自身的事情,更必须透过设备商、材料商等完整供应链配套,才能缩短学习曲线。
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