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InSense即将问世的10轴单芯片惯性(运动)MEMS传感器,包括3轴加速度计+3轴陀螺仪+3轴地磁+压力传感器
据麦姆斯咨询报道,InSense(盈感电子科技)是一家总部位于美国硅谷的MEMS创业公司,专注于加速度计、陀螺仪等新一代惯性MEMS传感器的开发和量产。InSense创始人源自美国斯坦福大学和英特尔(Intel),在MEMS器件和工艺开发方面深耕多年。InSense的MEMS技术具有颠覆现有惯性传感器产品的创新性,相比传统硅MEMS器件在性能上有极大地提高,同时成本获得了大幅降低。其早期MEMS传感器原型产品在斯坦福MEMS纳米制造实验室开发。目前,InSense已经获得了三家机构的风险投资,投资方包括New Enterprise Associates(全球第一大VC)、Walden International(华登国际)和斯坦福基金。
现在,MEMS器件已经广泛应用于消费类电子产品和汽车产业。市场对于集成多用元件的需求正在高速增长,分立式MEMS器件市场开始放缓。在组合式MEMS应用中,多个MEMS器件被集成于单个芯片,例如多自由度惯性传感器,这些微机械加工的MEMS结构(比如加速度计、陀螺仪以及磁力计)全部集成在同一个封装体内,以获得更小的器件尺寸、更低的成本以及更低的功耗,因此,这些对单芯片集成提出了新的要求。
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InSense发明专利中的一个实施例,通过ASIC互连层上的直接工艺在CMOS衬底上进行直接制造
InSense这项技术曾于2016年获得美国国家科学基金会(NSF)给予的749,942美元项目(SBIR)支持,该项目已经进入第二阶段。从NSF官方给出的信息看到,该项目的首席调查员(Principal Investigator)是InSense董事长兼首席执行官(CEO):Noureddine Tayebi。
InSense获得美国国家科学基金会的项目支持
InSense董事长兼首席执行官Noureddine Tayebi
InSense为其创新技术在美国、欧洲和中国都申请了发明专利,其专利技术有望颠覆目前的惯性MEMS产业格局。InSense近日展示的10轴单芯片惯性(运动)MEMS传感器(3轴加速度计+3轴陀螺仪+3轴地磁+压力传感器)目前正在专业代工厂调试,预计将于2019年问世,让我们一起拭目以待!
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